1)什么是IGBT电路啊

IGBT电路，就是IGBT及其周边的元器件组成的电路。

IGBT是一种电子元器件，它分别吸取了双极晶体三极管CE结导通后的低压降，和MOS管电压驱动特性的两个优点，可以做到电压驱动微功率、低导通压降。目前已经被广泛各种大功率电子设备中，例如逆变焊机、UPS、电磁炉、稳压电源等。

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。

2)igbt模块特点

IGBT的使用综合性能是非常优越的，决非其它功率器件所能替代的。兼MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

3)IGBT的主要材料有哪些

IGBT的主要材料有外部为封装用的陶瓷；内部件是银丝、黄金镀膜和透明硅胶等。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

4)igbt是什么驱动信号

绝缘栅双极晶体管IGBT安全工作，它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一身，自关断、开关频率高(10-40kHz)的特点，是发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS及逆变焊机当中。IGBT的驱动和保护是其应用中的关键技术。igbt驱动电路是驱动igbt模块以能让其正常工作，并同时对其进行保护的电路。绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在今天的电力电子领域中已经得到广泛的应用，在实际使用中除IGBT自身外，IGBT驱动器的作用对整个换流系统来说同样至关重要。驱动器的选择及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。

因此，在IGBT数据手册中给出的电容Cies值在实际应用中仅仅只能作为一个参考值使用。

IGBT的开关特性主要取决于IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻

5)IGBT模块损坏的原因

1、环境温度。环境温度高，将延长IGBT管的判断时间，使同一桥臂的上、下两管在交替导通过程中的死区变窄，甚至导致直通。这就是在夏天，模块烧坏的故障率偏高的原因；

2、变频器的输出电流过大。变频器的输出电流大，也会延长IGBT管的关断时间，导致直通；

3、驱动不足。驱动不足也即驱动电压偏低，容易使IGBT管进入放大状态，IGBT管的功耗大幅增加，IGBT管将迅速烧毁。